Application du MOSFET à la puissance du moteur d'entraînement
Les exigences de performance les plus importantes pour entraîner l'étage de puissance du moteur sont la petite taille, le rendement élevé, de bonnes performances thermiques, une protection fiable et une capacité de charge de courant de crête élevée. La petite taille permet une installation flexible des niveaux de puissance dans l'outil, de meilleures performances de disposition de la carte et une conception à faible coût. Le rendement élevé offre la plus longue durée de vie de la batterie et réduit le refroidissement. Un fonctionnement et une protection fiables étendent le slonge et contribuent à améliorer la réputation du produit.
Pour entraîner le moteur BDC dans les deux sens, vous devez utiliser deux demi-ponts (quatre transistors à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) pour former un pont complet. Pour entraîner un moteur BLDC triphasé, trois demi-ponts (six MOSFETts) sont nécessaires pour former un onduleur triphasé.
Le moteur BLDC triphasé avec seulement trois modules de puissance est entraîné dans deux directions, avec deux MOSFET (MOSFET haut et bas) connectés à chaque alimentation pour former un demi-pont.
Le bloc d'alimentation de deux FET intégrés dans le même boîtier permet de réduire la zone de PCB triphasée pour la topologie de l'onduleur, la piste d'interconnexion MOSFET fonctionnera dans un PCB avec MOSFET discret, et des courants de fonctionnement plus élevés nécessitent une piste PCB plus large, donc des économies de taille sont également disponibles.
L'une des raisons de la sonnerie est que la diode est restaurée en sens inverse. Des taux de changement de courant élevés provoqués par des commutations rapides peuvent entraîner des diodes élevées pour inverser le courant de récupération. Le courant de récupération inverse circule à travers l'inductance de disposition parasite. Le réseau de résonance formé par les condensateurs FET et les inductances parasites provoque une sonnerie de nœud de phase, réduisant la marge de tension et augmentant la contrainte de l'appareil
Lors de l'utilisation d'une alimentation électrique, un clip de nœud de commutation avec deux emplacements MOSFET qui connectent les deux MOSFET maintient l'inductance parasite entre les MOSFET côté haut et bas à un minimum absolu. L'utilisation de FET côté bas et côté haut dans le même boîtier minimise les parasites des PCB et réduit la sonnerie de tension des nœuds de phase. L'utilisation de ces modules d'alimentation permet de garantir un entraînement régulier des commutateurs MOSFET sans dépassement de tension, même lorsque les courants atteignent 50A.
Le module d'alimentation comprend un MOSFET supérieur et inférieur dans un seul boîtier, ainsi que des nœuds de phase connectés via un clip métallique dans le boîtier, optimisant la résistance parasite et offrant une flexibilité de disposition, économisant une résistance totale minimale du PCB de 0.5 à 1 mΩ.